三星开始生产第二代 10nm 芯片

来源:engadget作者:Andy Yang发表阅读:

  三星今天宣布了第二代 10nm FinFET 制程技术的芯片正式投产,取名为「10LPP(Low Power Plus)」。相对于第一代的 10LPE(Low Power Early),10LPP 号称在相同的能耗下可以有 10% 的性能增进;又或是在相同的性能下, 省电 15%。 更棒的是,因为在生产上它和 10LPE 制程没有什么太大的不同, 因此预计不需要经过多少调整,初步就能有很好的产能。 首批运用新制程的芯片,传言会是高通的下一代旗舰 Snapdragon 845,当然 Samsung 自己的 Galaxy S9 和 S9+ 也能受惠。

  再往后,三星还有生产方式相差无几的 8nm 制程技术,应该可以很轻松地衔接上 10LPP。三星希望这两代的芯片,可以让其顺利过渡到需要 EUV 光蚀刻技术来生产的 7nm 制程,但反过来说, 就是这种大约 10~15% 的微量增幅还要再持续两代的意思。另一边台积电的 7nm 制程进度号称还走在三星前面,也引发了高通有可能会专投台积电怀抱的传言。

  在这两间之外, 还有不是很好摆在一起比较的英特尔。虽然说英特尔也是 10 nm 的制程,但他们的 10nm 实际上零件的密度更高, 因此在性能和省电上,都号称有更佳的表现。这也再次点出了到了现在这个世代,多少纳米已经差不多与制程的优劣脱勾,只能自己和自己比,而无法跨公司做直接的比较啰。
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